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专注于NAND:三星公司大力推动64层3D闪存芯片生产

添加时间: 2017-6-20 14:38:30 文章来源:松楚林数据恢复中心 文章作者:松楚林数据恢复中心 点击数:24

        三星公司表示,继东芝与西部数据发布64层NAND驱动器之后,其也将推出自家64层NAND驱动器产品。美光与其闪存代工合作伙伴英特尔亦有计划推出自己的64层产品。

       三星的V-NAND三层单元(简称TLC)芯片拥有256 Gbit存储容量,且将被应用于移动、PC以及服务器等多个领域。

       东芝与西部数据双方最近分别发布了其64层3D芯片SSD,其中东芝的XG5以NVMe M.2形式提供256 GB、512 GB以及1 TB存储容量。这款TLC芯片还配备有一套SLC(即单层单元)缓存。

       西部数据的蓝盘SSD则分别提供2.5英寸与M.2两种尺寸形式,采用SATA接口并提供250 GB、500 GB、1 TB以及2 TB几种容量选项。

        美光与英特尔双方即将推出的SSD产品也将采用64层NAND芯片技术。

        三星公司将在今年晚些时候推出其采用64层芯片的嵌入式UFS(即通用闪存存储)内存、品牌SSD以及外部存储卡。UFS内存可用于智能手机、数码相机以及其它类似设备。

        三星方面宣称,截至今年年底,64层芯片将在其月度NAND闪存生产总量当中占据超过一半比例。该公司期待着尽快迈入TB级别V-NAND时代,这意味着芯片存储容量将提升4倍。具体来讲,三星公司需要提升堆叠层数以及/或者进一步缩小单元尺寸——亦可能二者兼而有之。

        三星公司表示,其256 Gbit芯片拥有约853亿个存储单元,外加数十亿个贯穿“数十个单元阵列”的通孔。其生产技术难点在于确保这些通孔拥有均匀的开关,同时“适当分散各个层的重量以提高通孔稳定性”。

        作为第三大难题,三星公司还需要均匀地“利用原子级别厚度的非导电物质覆盖每个通孔的内壁。”随着芯片内堆叠层数的不断提升,以上难点将带来更为严峻的制造挑战。

        三星公司目前在芯片容量与每层容量方面皆落后于其它竞争对手,因此可以想见其必然将奋起直追以缩小差距。​​​​

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